氫氧化鎂阻燃劑研磨機(jī)苔可，無(wú)機(jī)阻燃劑分散式研磨機(jī)缴挖，氫氧化鎂濕法超微粉碎機(jī)


      近年來(lái)，高分子合成材料迅速發(fā)展及廣泛應(yīng)用給人們?cè)谏�產(chǎn)及生活中帶來(lái)了多種 便利焚辅。然而映屋，大部分合成高分子材料均具有可燃性及易燃性，故而它們?cè)谑褂迷诖嬖趪?yán)重的 火災(zāi)危害同蜻。據(jù)統(tǒng)計(jì)棚点，我國(guó)2015年火災(zāi)共為33.8萬(wàn)起，直接經(jīng)濟(jì)損失達(dá)到39.5億元人民幣湾蔓，對(duì) 高分子材料的阻燃劑已經(jīng)越來(lái)越受到各國(guó)政府及人民的關(guān)注及重視瘫析。 阻燃劑按照元素分可分為含鹵及無(wú)鹵阻燃劑，其中鹵素型阻燃劑具有添加量少默责，阻燃劑效率高贬循，對(duì)材料性能影響小等多種優(yōu)勢(shì)，但多數(shù)鹵素阻燃劑熱分解過(guò)程中釋放致癌 或有毒有害物質(zhì)桃序，對(duì)人類(lèi)及環(huán)境產(chǎn)生惡劣影響杖虾。歐洲及美國(guó)等發(fā)達(dá)地區(qū)已經(jīng)出臺(tái)相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)及法規(guī)以禁止鹵素阻燃劑在特定域中使用。無(wú)鹵阻燃劑被認(rèn)為是環(huán)保型阻燃劑媒熊，阻燃元素包括磷奇适、硅、硼芦鳍、硫嚷往、鎂、鋁等怜校。
      氫氧化鎂是鎂基無(wú)機(jī)阻燃劑的代表间影，安全無(wú)毒，物理化學(xué) 性質(zhì)穩(wěn)定茄茁，不僅具有良好的阻燃及抑煙性能魂贬，而且價(jià)格相對(duì)較低，可作為填充降低成本裙顽，礦 粉法的氫氧化鎂已經(jīng)大量的用于高分子材料的阻燃劑域付燥。
氫氧化鎂阻燃聚烯烴主要待解決3個(gè)主要問(wèn)題：
第1，粉體粒徑及粒徑分布愈犹；
第2键科，粉 體的表面性能及其與高分子材料的相容性及分散性闻丑；
第3，粉體的流動(dòng)性勋颖。
      濕法研磨可以解決上述問(wèn)題嗦嗡，濕法研磨得到的粉體粒徑小，分布均一饭玲，且為球狀顆粒侥祭，這將從根本上改善粒徑大小、粒徑分布及粉體流動(dòng)性的問(wèn)題茄厘。此外矮冬，由于結(jié)構(gòu)決定性能，通過(guò)以氫氧化鎂為核次哈，在其表面包覆低表面能的物質(zhì)可以有效的改善其與高分子材料的相容性胎署，這同樣是解決相容性和分散性的核心方法。

      CMSD2000系列改進(jìn)型研磨式分散機(jī)是由膠體磨和分散機(jī)組合而成的高科技產(chǎn)品窑滞，先錐形研磨頭具有精細(xì)度遞升的多鋸齒凸起和凹槽琼牧。定轉(zhuǎn)子間隙可以根據(jù)需要無(wú)限制調(diào)整間隙。第二機(jī)由轉(zhuǎn)定子組成葛假。分散頭的設(shè)計(jì)也很好的滿足不同粘度物質(zhì)以及顆粒粒徑的需求障陶。整機(jī)采用佳的幾何機(jī)構(gòu)的研磨定轉(zhuǎn)子，好的表面處理和優(yōu)質(zhì)材料聊训，可以滿足不同行業(yè)的多種需求。通過(guò)研磨分散機(jī)定轉(zhuǎn)齒之間的間隙（間隙可調(diào)）時(shí)受到強(qiáng)大的剪切力恢氯、摩擦力带斑、高頻振動(dòng)等物理作用，使物料被有效的乳化勋拟、分散和粉碎勋磕，達(dá)到物料超細(xì)粉碎及乳化的效果，出料粒徑可以微納米敢靡。

    通過(guò)IKN濕法粉碎從根本上解決了氫氧化鎂粒徑大小及粒度分布的問(wèn)題挂滓，明顯地改善 了產(chǎn)品的流動(dòng)性。在超細(xì)氫氧化鎂表面包覆低表面能的對(duì)苯二甲酸鎂啸胧，以實(shí)現(xiàn)材料相容性的改善赶站。利用濕法研磨和反應(yīng)包覆兩種工藝的耦合，利用濕法研磨的摩擦熱而使得沉 淀反應(yīng)發(fā)生纺念，避免了額外輸入熱量贝椿，對(duì)節(jié)能減排具有積的促進(jìn)作用。
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影響研磨分散結(jié)果的因素有以下幾點(diǎn)

1 研磨頭的形式（批次式和連續(xù)式）（連續(xù)式比批次好）

2 研磨頭的剪切速率  （越大，效果越好）

3 研磨頭的齒形結(jié)構(gòu)（分為初齒，中齒渣窜，細(xì)齒铺根，超細(xì)齒，約細(xì)齒效果越好）

4  物料在分散墻體的停留時(shí)間乔宿，乳化分散時(shí)間（可以看作同等的電機(jī)夷都，流量越小，效果越好）

5 循環(huán)次數(shù)（越多予颤，效果越好囤官，到設(shè)備的期限，就不能再好）

線速度的計(jì)算

剪切速率的定義是兩表面之間液體層的相對(duì)速率蛤虐。

– 剪切速率 (s-1) = v  速率 (m/s)/   g 定-轉(zhuǎn)子 間距 (m)

由上可知党饮，剪切速率取決于以下因素：

– 轉(zhuǎn)子的線速率

– 在這種請(qǐng)況下兩表面間的距離為轉(zhuǎn)子-定子 間距。
IKN 定-轉(zhuǎn)子的間距范圍為 0.2 ~ 0.4 mm  

速率V=  3.14 X  D（轉(zhuǎn)子直徑）X 轉(zhuǎn)速 RPM  /   60

CMSD2000系列研磨分散機(jī)選型表

型號(hào)	流量 L/H	轉(zhuǎn)速 rpm		線速度 m/s		功率 kw	入/出口連接 DN
CMSD 2000/4	300	14000		41		4	DN25/DN15
CMSD 2000/5	1000	10500		41		11	DN40/DN32
CMSD 2000/10	4000	7200		41		22	DN80/DN65
CMSD 2000/20	10000	4900		41		45	DN80/DN65
CMSD 2000/30	20000	2850		41		90	DN150/DN125
CMSD 2000/50	60000	1100		41		160	DN200/DN150

表中上限處理量是指介質(zhì)為“水”的測(cè)定數(shù)據(jù)驳庭。

流量取決于設(shè)置的間隙和被處理物料的特性刑顺，可以被調(diào)節(jié)到大允許量的10%
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更新時(shí)間：2024/12/16 9:49:54

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